半導体ウエハの研削方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997356325
Publication number (International publication number)：1999176778
Application date： Dec. 10, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、研削加工後に施す超高精度の特に平坦加工の研磨加工のために安定した基準面を得るための半導体ウエハの研削方法に創達した。【構成】本発明は、スライスした半導体ウエハを研削プレートとチャック機構を有したスピンドル軸との間に挾持して砥粒によって研削する第1の研削手段と第2の研削手段と第3の研削手段とを並設させ、第1の研削手段と第2の研削手段との間に第1の反転移送手段を配設し、第2の研削手段と第3の研削手段との間に第2の反転移送手段とを配設した研削装置を用いて、第1の研削手段で半導体ウエハを研削して基準面を形成し、第1の反転移送手段で反転移送させて第2の研削手段で半導体ウエハの表面を研削し、第2の反転移送手段で反転移送させて第3の研削手段で半導体ウエハの基準面を更に研削する。

Claim (excerpt)：

円柱状のシリコン結晶体を円板状にスライスした半導体ウエハを夫々下方に備えた研削プレートと夫々上方に備えた下端にチャック機構を有したスピンドル軸との間に挾持して夫々砥粒によって研削する第1の研削手段と第2の研削手段と第3の研削手段とを並設させ、前記第1の研削手段と第2の研削手段との間に第1の反転移送手段を配設し、前記第2の研削手段と第3の研削手段との間に第2の反転移送手段とを配設した研削装置を用いて、前記第1の研削手段で半導体ウエハの裏面を研削して基準面を形成し、前記第1の研削手段で基準面を形成した半導体ウエハを第1の反転移送手段で反転移送させて第2の研削手段で半導体ウエハの表面を研削し、前記第2の研削手段で表面を研削した半導体ウエハを第2の反転移送手段で反転移送させて第3の研削手段で半導体ウエハの基準面を更に研削することを特徴とする半導体ウエハの研削方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体ウェーハ製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-094878 Applicant：信越半導体株式会社
半導体ウェ-ハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-079510 Applicant：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
GaAsウエハの研磨方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-291670 Applicant：日立電線株式会社

Show all

Return to Previous Page