光半導体装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996285472
Publication number (International publication number)：1998135560
Application date： Oct. 28, 1996
Publication date： May. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】混晶を電流ブロック層とするSAS構造光半導体装置の製造方法において、実効活性層幅の制御性、均一性、再現性を向上させる。Alを含む混晶ブロック層の酸化を防止したSAS構造光半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に第1導電型のクラッド層、活性層、光ガイド層を順次成長し、成長阻止マスクを形成した光ガイド層上にアルミニウムを含む化合物半導体結晶からなる電流ブロック層とアルミニウムを含まない電流ブロック層酸化保護層を選択成長し、成長阻止マスク除去後、電流ブロック層と保護層上に第2導電型のクラッド層を成長する工程を経て、SAS構造光半導体装置を形成する。

Claim (excerpt)：

活性層に注入する電流を狭窄する電流ブロック層を有する光半導体装置の製造方法において、前記電流ブロック層を選択成長により平坦な結晶面上に形成する工程を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体レーザーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-283340 Applicant：三菱化成株式会社
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331498 Applicant：松下電子工業株式会社
特開平2-063183

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