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J-GLOBAL ID：200903018521482682

ホトマスクの図形補正方法、ホトマスクの図形補正プログラム、このプログラムを記録した記録媒体、ホトマスクのパターン形成装置、ホトマスクのパターン形成方法、ホトマスク、及び半導体集積回路装置の製造方法

Inventor：
南 章行

About 南 章行


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (2)： 前田 実 ,  山形 洋一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003350393
Publication number (International publication number)：2005115110
Application date： Oct. 09, 2003
Publication date： Apr. 28, 2005
Summary：
【課題】 パターン寸法の偏差量に関する基準データに基づいてホトマスクの図形を補正し、デバイス特性に大きな影響を与えるパターン寸法のばらつきを小さくする。【解決手段】 ホトマスクを用いて転写された半導体ウェハの実際の転写パターンのパターン寸法から半導体ウェハの被加工層における設計パターンのパターン寸法を差し引いた値をパターン寸法の偏差量としたときに、設計パターンとその幅方向の両側の隣接パターンとの間のパターン間隔とパターン寸法の偏差量との関係を実測して基準データを取得する。基準データを用いてパターン寸法の偏差量が上限値FH以上又は下限値FL以下になるか否かを判定し、なると判定された領域についてホトマスクの図形データを補正する。補正された図形データに基づいてホトマスクのパターンを形成し、このホトマスクを用いて半導体集積回路装置の被加工層にパターンを形成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
ホトマスクを用いて転写された半導体ウェハの実際の転写パターンのパターン寸法から前記半導体ウェハの設計パターン寸法を差し引いた値をパターン寸法の偏差量としたときに、前記設計パターンとその幅方向の両側の隣接パターンとの間のパターン間隔と前記パターン寸法の偏差量との関係を実測によって取得した基準データを用いてホトマスクの図形を補正する方法であって、 〔1A〕 前記基準データを用いて、補正対象のホトマスクの図形について、パターン寸法の偏差量が所定の上限値以上又は所定の下限値以下になるか否かを判定するステップと、 〔1B〕 前記ステップ〔1A〕においてパターン寸法の偏差量が前記上限値以上又は前記下限値以下になると判定された領域について、前記ホトマスクの図形を補正するステップと を有することを特徴とするホトマスクの図形補正方法。
IPC (2)：
G03F1/08 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F1/08 A ,  H01L21/30 502P
F-Term (1)：
2H095BB01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (3)

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