Pat
J-GLOBAL ID：200903077680657384

パターン形成方法

Inventor：
神田 崇

About 神田 崇

, 
田中 初幸

About 田中 初幸


Applicant, Patent owner：
クラリアント ジャパン 株式会社

About クラリアント ジャパン 株式会社


Agent (1)： 鐘尾 宏紀 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999284682
Publication number (International publication number)：2001109165
Application date： Oct. 05, 1999
Publication date： Apr. 20, 2001
Summary：
【要約】【課題】レジストパターンを形成した後、このパターン上に酸の存在下で架橋する被覆層を設け、レジストから該被覆層への酸の拡散を利用してレジストに隣接する被覆層を架橋せしめてレジストパターンを太らせ、ライン・アンド・スペースパターンなどのスペース部の寸法を実効的に微細化する方法において、レジストパターンの膜厚が2μm以上のものである場合の太らされたパターンの変形を防止し、かつ効率よく架橋被覆層を形成する。【構成】2μm以上の膜厚のレジストパターン11上に、酸の存在下で架橋する被覆層3を設けた後、波長150〜450nmの可視光または紫外線を照射するか、レジストパターン11を波長150〜450nmの可視光または紫外線で照射した後、照射処理レジストパターン11上に被覆層3を形成し、必要に応じ加熱してレジストパターンからの酸の拡散を促進し、レジストパターンに隣接する被覆層の架橋、硬化を行った後、被覆層の架橋していない部分を現像により除去して、変形のないパターンを形成する。
Claim (excerpt)：
2μm以上の膜厚のレジストパターン上に、酸の存在下で架橋する被覆層を設け、レジストパターンからの酸の拡散により該被覆層を架橋してレジストパターンを太らせるパターン形成方法において、被覆層を形成する前および/または被覆層を形成した後、レジストパターンを波長150〜450nmの可視光または紫外線により照射することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/26 511 ,  G11B 5/127 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/027
FI (4)：
G03F 7/26 511 ,  G11B 5/127 D ,  G11B 5/31 C ,  H01L 21/30 573
F-Term (26)：
2H096AA00 ,  2H096AA27 ,  2H096AA30 ,  2H096BA10 ,  2H096BA20 ,  2H096CA20 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA05 ,  2H096HA27 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  2H096KA03 ,  2H096KA05 ,  5D033DA07 ,  5D093FA12 ,  5D093FA15 ,  5D093HA16 ,  5F046AA11 ,  5F046AA13 ,  5F046NA04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM