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J-GLOBAL ID：200903018633022714

アルミニウム酸化膜形成方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 金 敏 洙 ,  金 京 民 ,  林 燦 ,  郭 興 植 ,  金 正 泰
Applicant, Patent owner： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
Agent (1)： 瀬谷 徹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000391358
Publication number (International publication number)：2001244263
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Sep. 07, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MTMAをアルミニウムソース物質に使用して単原子蒸着法によりアルミニウム酸化膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 半導体基板102を準備して前記半導体基板を反応器220に装着する第1ステップと、アルミニウムソースとしてMTMA212を半導体基板上に吸着されるように反応器に供給する第2ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージして第1排出ポンプを介して未反応のMTMAまたは反応副産物を排出させる第3ステップと、酸素ソース216を前記半導体基板上に吸着されるように反応器に供給する第4ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージして第1排出ポンプを介して未反応の酸素ソース物質または反応副産物を排出させる第5ステップとを含んでなる。

Claim (excerpt)：

半導体素子に用いられる、半導体基板を準備して前記半導体基板を反応器に装着する第1ステップと、アルミニウムソースとしてMTMA(modified trimethylaluminum)を前記半導体基板上に吸着されるように前記反応器に供給する第2ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージ(purging)して第1排出ポンプを介して未反応のMTMAまたは反応副産物を排出させる第3ステップと、酸素ソースを前記半導体基板上に吸着されるように前記反応器に供給する第4ステップと、窒素ガスを流入させるか、または真空パージして前記第1排出ポンプを介して未反応の酸素ソース物質または反応副産物を排出させる第5ステップとを含んでなることを特徴とするアルミニウム酸化膜形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/20 ,  C23C 16/56 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (6)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/20 ,  C23C 16/56 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 処理ガス供給装置のクリーニング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-351796   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 川崎製鉄株式会社
• 薄膜トランジスタ・マトリクスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-195040   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置のキャパシタ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-288307   Applicant：三星電子株式会社
• 酸化タンタル薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-306775   Applicant：松下電器産業株式会社
• 金属有機化合物を含有する均質な混合物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-056751   Applicant：ヴィトコゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 半導体メモリ素子のキャパシタ構造及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-276782   Applicant：ソニー株式会社