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J-GLOBAL ID：200903018697721187

基板処理装置のガス計測制御

Inventor： アダムズ ダグラス アール.
Applicant, Patent owner： ブルックス オートメーション インコーポレイテッド
Agent (1)： 藤村 元彦 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998546052
Publication number (International publication number)：2002500822
Application date： Apr. 01, 1998
Publication date： Jan. 08, 2002
Summary：

【要約】ガスを基板処理チャンバ(86)に導入する方法。ガスを基板処理チャンバ(86)に導入する前記方法は、前記ガスを計測領域(57)に第1所定圧力で満たす行程と、前記領域(57)を閉じて前記領域(57)を前記第1所定圧力に維持する行程と、そして、前記領域(57)を前記基板処理チャンバ(86)に開放する行程と、を含む。前記領域(57)が前記基板処理チャンバ(86)に開放される時、前記領域(57)内部の前記ガスは前記チャンバ(86)の内部へ膨張し、前記チャンバ(86)に第2所定圧力を提供する。

Claim (excerpt)：

基板処理チャンバの中にガスを導入する方法であり 前記ガスを第1所定圧力までガス計測領域に充填する行程と、 前記領域を前記第1所定圧力に維持するために前記領域を閉じる行程と、 前記領域を前記基板処理チャンバに向けて開放し、これによって前記ガスが前記チャンバの中へと膨張し、前記チャンバに第2所定圧力を提供する行程と、を有することを特徴とする基板処理チャンバの中にガスを導入する方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  B01J 3/02 ,  H01J 37/32

FI (3)：

B01J 3/02 M ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体製造装置のガス供給装置およびその供給方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-161632   Applicant：株式会社東芝
• 基板処理方法および基板処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-292898   Applicant：株式会社日立製作所
• 加熱装置及び加熱方法並びに半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-058187   Applicant：ソニー株式会社