位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：深見久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994013280
Publication number (International publication number)：1995219211
Application date： Feb. 07, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：

【要約】【目的】減衰型位相シフトパターンを有するフォトマスクの欠陥を集束イオンビームを用いて正確に修正し得る方法を提供する。【構成】位相シフトパターン(2)の欠陥領域(3)下において透光性基板(1)を集束イオンビーム(4)を利用してエッチングするとともに、エッチング領域下にイオン注入層(7)を形成し、その欠陥領域を通過する光の位相と透過率を修正する。

Claim (excerpt)：

フォトリソグラフィの解像力を高めるための減衰型位相シフトパターンが透光性基板上に形成されたフォトマスクにおいて前記位相シフトパターンの欠けた欠陥領域を修正する方法であって、前記欠陥領域下において前記基板を集束イオンビームを用いてエッチングし、前記エッチングの領域下の前記基板内に集束イオンビームを用いてイオン注入し、それによって、前記欠陥領域下の前記基板を通過した光と前記基板の他の領域を通過した光との位相差は、前記位相シフトパターンおよびその下の前記基板を通過した光と前記基板の前記他の領域を通過した光との位相差と同様にされることを特徴とする位相シフトマスクのパターン欠陥修正方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平4-136854
特開平4-000449
位相シフトフオトマスクの修正方法及び修正に適した位相シフトフオトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-295609 Applicant：大日本印刷株式会社

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Cited by examiner (9)

特開平4-136854
特開平4-000449
位相シフトフオトマスクの修正方法及び修正に適した位相シフトフオトマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-295609 Applicant：大日本印刷株式会社

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