キャパシタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997308787
Publication number (International publication number)：1999145389
Application date： Nov. 11, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】【課題】 HSGのサイズを適正かつ均一に制御し、不純物の空乏化を防止することにより、高容量のキャパシタを提供する。【解決手段】容量コンタクトプラグ6の一部と接続するように第一の非晶質シリコン層10を形成し、その上に第二の非晶質シリコン層11、第三の非晶質シリコン層12を形成する。第一および第三の非晶質シリコン層はノンドープシリコン層とし、第二の非晶質シリコン層はリンドープトシリコン層とする。つづいて第一および第三の非晶質シリコン層の表面にHSG14を成長させる。誘電体膜を形成等した後に熱処理し、HSG中にリンを拡散させる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上の下部電極形成領域と接続するように第一の非晶質シリコン層を形成し、その上に第二のドープト非晶質シリコン層、第三の非晶質シリコン層を、前記第一の非晶質シリコン層の不純物濃度および前記第三の非晶質シリコン層の不純物濃度が前記第二のドープト非晶質シリコン層の不純物濃度よりも低くなるように設定して、順に形成する工程と、前記第一の非晶質シリコン層の少なくとも一部と、前記第三の非晶質シリコン層の少なくとも一部とをエッチングにより露出させる工程と、前記第一の非晶質シリコン層および前記第三の非晶質シリコン層の表面の少なくとも一部に、半球形状の微細なグレイン(HSG)を形成する工程と、アニール処理を行い前記HSGに不純物を拡散させることにより下部電極を形成する工程とを含むことを特徴とするキャパシタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半球形粒子シリコン上での窒化チタン(TiN)の気相成長法を用いた蓄積キャパシタ構造(STC構造)の半導体メモリ蓄積装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-170434 Applicant：マイクロン・セミコンダクター・インコーポレイテッド
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-147992 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284485 Applicant：日本電気株式会社

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