半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001093663
Publication number (International publication number)：2002289871
Application date： Mar. 28, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：

【要約】【課題】ソース及びドレインの形成が容易なDouble-gateFDMISFETを提供すること。【解決手段】一部に半導体層103が形成された基板と、半導体層103の対向する両側面上に形成されたゲート絶縁膜105と、ゲート絶縁膜105上に形成され、金属材料からなるゲート電極106と、ゲート絶縁膜105が形成されていない半導体層103の対向する両側面上に形成され、該半導体層103とショットキー接合されたソース及びドレイン電極107とを具備する。

Claim (excerpt)：

一部に、ほぼ直方体状の半導体層が形成された基板と、前記半導体層の対向する一対の側面上にそれぞれ形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成され、金属材料からなるゲート電極と、前記ゲート絶縁膜が形成されていない半導体層の対向する一対の側面上に形成され、該半導体層とショットキー接合された金属材料からなるソース及びドレイン電極とを具備するMISFETを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/786 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 27/08 331 , H01L 29/417 , H01L 29/78

FI (9)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 N , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 321 F , H01L 29/50 U , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 617 K

F-Term (99)：

4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB18 , 4M104BB19 , 4M104BB22 , 4M104BB30 , 4M104BB33 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD75 , 4M104DD78 , 4M104DD81 , 4M104DD84 , 4M104FF04 , 4M104FF18 , 4M104FF26 , 4M104GG09 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB17 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F110AA06 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE29 , 5F110EE38 , 5F110EE41 , 5F110EE42 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG25 , 5F110HK05 , 5F110HK50 , 5F110HL02 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN35 , 5F110QQ19 , 5F140AA10 , 5F140AA21 , 5F140AA29 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB05 , 5F140BC13 , 5F140BC15 , 5F140BD07 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BD13 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG14 , 5F140BG36 , 5F140BG38 , 5F140BG40 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ30 , 5F140BK28 , 5F140BK34 , 5F140CA03 , 5F140CC15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

MOS FETの製造方法と構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-214556 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-191253 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-295527 Applicant：株式会社東芝

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