Pat
J-GLOBAL ID：200903023987818609

半導体装置とその製造方法

Inventor：
大塚 渉

About 大塚 渉


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999191253
Publication number (International publication number)：2001024065
Application date： Jul. 06, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】 MOSトランジスタのゲート電極42、47を金属あるいは金属化合物からなる材料で形成した半導体装置において、それぞれのトランジスタに対してそのしきい値電圧を別々にしかも容易に調整したものの提供が望まれている。【解決手段】 同一半導体基板上にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを有し、これらMOSトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置である。pMOSトランジスタのゲート電極47とnMOSトランジスタのゲート電極42とは仕事関数の異なる材料からなっている。nMOSトランジスタのゲート電極42に比べて、pMOSトランジスタのゲート電極47の方が仕事関数の大きい材料によって形成されている。
Claim (excerpt)：
同一半導体基板上にpMOSトランジスタとnMOSトランジスタとを有し、これらMOSトランジスタのゲート電極が金属あるいは金属化合物からなる材料で形成された半導体装置において、pMOSトランジスタのゲート電極とnMOSトランジスタのゲート電極とが仕事関数の異なる材料からなり、nMOSトランジスタのゲート電極に比べ、pMOSトランジスタのゲート電極の方が仕事関数の大きい材料によって形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6)：
H01L 27/08 321 D ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 301 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P
F-Term (54)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC05 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD66 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F040DA00 ,  5F040DB01 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040EC10 ,  5F040EC12 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FA01 ,  5F040FA02 ,  5F040FA05 ,  5F040FA07 ,  5F040FB02 ,  5F040FC28 ,  5F048AA00 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB15 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG02 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM