III族窒化物半導体及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999142309
Publication number (International publication number)：2000331946
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】良質なIII族窒化物半導体膜を得ること。【解決手段】シリコン(Si)基板1の(111)面に、二酸化シリコン(SiO2)から成る第1の層2を、〔110〕方向と垂直な〔1 -10〕方向に長手方向を持つストライプ状に形成する。ここにIII族窒化物(AlxGayIn1-x-yN,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)を積層する。二酸化シリコン(SiO2)から成る第1の層2に覆われていないシリコン(Si)基板1の領域BにIII族窒化物(AlxGayIn1-x-yN,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)はエピタキシャル成長し、二酸化シリコン(SiO2)から成る第1の層2には領域Bから横方向にエピタキシャル成長する。これにより、無転位のIII族窒化物半導体を得ることができる。

Claim (excerpt)：

シリコン(Si)基板と、前記シリコン基板の(111)面上に、シリコンの露出部が散在するように形成され、III族窒化物半導体がその上にエピタキシャル成長しない第1の層と、前記第1の層で覆われていないシリコンの露出部にエピタキシャル成長させ、前記第1の層の上部では横方向にエピタキシャル成長させることで形成されたIII族窒化物半導体から成る第2の層と、を備えたことを特徴とするIII族窒化物半導体。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/323

FI (3)：

H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18 673

F-Term (29)：

5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC15 , 5F045AD15 , 5F045BB11 , 5F045CA10 , 5F045CA13 , 5F045DA52 , 5F045DA67 , 5F045DB01 , 5F045DB04 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA35 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-084418
III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-062760 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-133182

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