電界電子放出装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：池田治幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000058862
Publication number (International publication number)：2001250468
Application date： Mar. 03, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】高密度に配向させられたナノチューブにより構成されて電子放出効率の一様なエミッタを備えた電界電子放出装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】エミッタ28は、珪素が除去されることにより表面48から陽極に向かう一方向に沿って伸びるように生成された複数本のナノチューブ46と、炭化珪素のままの炭化物部36とナノチューブ46との界面に生成された炭素層42とを有していることから、周縁部からナノチューブ46に至る通電経路がその表面48に沿った方向において導電性を有する炭素層42によって形成されるため、その通電経路の抵抗率が十分に低くなる。

Claim (excerpt)：

気密空間内において互いに対向して配置されたエミッタおよび陽極間に電圧を印加することにより、そのエミッタから電子を放出させる形式の電界電子放出装置であって、そのエミッタが、共有結合性炭化物から成る基板を真空下で加熱してその表層部から非金属元素を除去することによりその基板の一面から前記陽極に向かって伸びるように生成された複数本のカーボン・ナノチューブと、前記共有結合性炭化物から成る炭化物部と前記複数本のカーボン・ナノチューブとの界面にそのカーボン・ナノチューブと原子レベルで連続するように前記基板から生成されて炭素原子が相互に結合させられることにより前記一面に沿った方向において導電性を有する炭素層とを、含むことを特徴とする電界電子放出装置。

IPC (7)：

H01J 1/304 , C01B 31/02 101 , C01B 31/02 , H01J 1/30 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (7)：

C01B 31/02 101 F , C01B 31/02 101 Z , H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F , H01J 1/30 A

F-Term (12)：

4G046CA00 , 4G046CB01 , 4G046CB08 , 4G046CC02 , 5C031DD09 , 5C031DD19 , 5C035AA01 , 5C035BB01 , 5C035BB03 , 5C036EE19 , 5C036EG12 , 5C036EH04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

カーボンナノチューブ及びカーボンナノチューブ膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-087518 Applicant：財団法人ファインセラミックスセンター
電極、及びその電極を有する表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-089364 Applicant：日本真空技術株式会社
カーボンナノチューブの製造方法およびカーボンナノチューブ膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-225487 Applicant：株式会社東芝

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

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