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J-GLOBAL ID：200903019137754051

ダイヤモンド電極及びこれを備えたセンサ

Inventor： 近藤 剛史 ,  河合 武司 ,  庭野 悠 ,  栄長 泰明 ,  イワンデニ トリビダサリ アングラニングラム
Applicant, Patent owner： 学校法人東京理科大学 ,  学校法人慶應義塾
Agent (1)： 正林 真之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006246839
Publication number (International publication number)：2007292717
Application date： Sep. 12, 2006
Publication date： Nov. 08, 2007
Summary：

【課題】シグナル安定性が高く、かつ、応答速度や感度が高いセンサを製造することが可能なダイヤモンド電極及びこのダイヤモンド電極を備えたセンサを提供する。【解決手段】基板上に設けられる半導体又は導電体ダイヤモンドからなる薄膜上に、極性基とビニル基とを有するラジカル反応性化合物を含む修飾層形成用組成物をラジカル反応させて形成された修飾層を設ける。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた半導体又は導電体ダイヤモンドからなる薄膜上に、極性基とビニル基とを有するラジカル反応性化合物を含む修飾層形成用組成物をラジカル反応させて形成された修飾層が設けられているダイヤモンド電極。

IPC (3)：

G01N 27/30 ,  G01N 27/333 ,  G01N 27/416

FI (3)：

G01N27/30 B ,  G01N27/30 331N ,  G01N27/46 301G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 被検化合物の検出方法、およびそれに用いるダイヤモンド電極および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-315660   Applicant：藤嶋昭
• ダイヤモンド薄膜界面における電解発光反応を利用した尿中シュウ酸の選択的微量検出法、ルテニウム錯体修飾BDD電極および電解発光分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-196424   Applicant：有限会社山口ティー・エル・オー
• ダイヤモンド電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-163561   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264225   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社

Cited by examiner (3)

• ダイヤモンド薄膜界面における電解発光反応を利用した尿中シュウ酸の選択的微量検出法、ルテニウム錯体修飾BDD電極および電解発光分析装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-196424   Applicant：有限会社山口ティー・エル・オー
• ダイヤモンド電極
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-163561   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-264225   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ラジカル付加反応を利用したフェロセン修飾ダイヤモンド電極の作製

Cited by examiner (1)

• ラジカル付加反応を利用したフェロセン修飾ダイヤモンド電極の作製