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J-GLOBAL ID：200903034665270618

ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法

Inventor： 安藤 寿浩 ,  蒲生 美香 ,  蒲生 秀典
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  凸版印刷株式会社
Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004264225
Publication number (International publication number)：2006076851
Application date： Sep. 10, 2004
Publication date： Mar. 23, 2006
Summary：

【課題】高い表面平滑性及び導電性を有するダイヤモンド膜及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、3×1018cm-3以上の窒素を含むことを特徴とする。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び0.5%以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたCVD法により製造することが出来る。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、3×1018cm-3以上の窒素を含むことを特徴とするダイヤモンド膜。

IPC (4)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 26/00 ,  G01N 27/30

FI (4)：

C30B29/04 W ,  C23C16/27 ,  C23C26/00 C ,  G01N27/30 B

F-Term (37)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA05 ,  4G077TK01 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA20 ,  4K030BA28 ,  4K030CA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA17 ,  4K030LA11 ,  4K044AA01 ,  4K044AA11 ,  4K044AA12 ,  4K044AA13 ,  4K044BA18 ,  4K044BB10 ,  4K044BC14 ,  4K044CA14 ,  5F045AA09 ,  5F045AA10 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB18 ,  5F045DA68

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 特公平2-22900号公報
  
• ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-111811   Applicant：イムラ・ジャパン株式会社, 藤嶋昭, 橋本和仁, 魚崎浩平
• 特開昭64-075678
  
• 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214192   Applicant：住友電気工業株式会社
• 導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-183292   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226235   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平3-205399
  

Cited by examiner (5)

• 特開昭64-075678
  
• 半導体ダイヤモンド及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-214192   Applicant：住友電気工業株式会社
• 導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-183292   Applicant：住友電気工業株式会社
• ダイヤモンド半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-226235   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開平3-205399
  

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• The structure and electrochemical behavior of nitrogen-containing nanocrystalline diamond films depo

Cited by examiner (1)

• The structure and electrochemical behavior of nitrogen-containing nanocrystalline diamond films depo