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J-GLOBAL ID：200903019223738131

半導体装置

Inventor：
増田 哲

About 増田 哲


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005305727
Publication number (International publication number)：2007115894
Application date： Oct. 20, 2005
Publication date： May. 10, 2007
Summary：
【課題】半導体チップ内の温度分布が均一になるようにして、各トランジスタの出力のアンバランス動作による性能劣化を抑制し、半導体回路の高性能化を実現できるようにする。【解決手段】ベース材11と、ベース材11上にフェイスアップ実装され、表面に電極を有する複数のトランジスタを備える半導体チップ12と、放熱板13と、複数のトランジスタのそれぞれの電極と放熱板13とを接続する複数のバンプ15とを備え、複数のバンプ15が、半導体チップ12内の温度分布が均一になるように、半導体チップ12上の位置に応じて異なる面積を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
ベース材と、 ベース材上にフェイスアップ実装され、表面に電極を有する複数のトランジスタを備える半導体チップと、 放熱板と、 前記複数のトランジスタのそれぞれの電極と前記放熱板とを接続する複数のバンプとを備え、 前記複数のバンプが、前記半導体チップ内の温度分布が均一になるように、前記半導体チップ上の位置に応じて異なる面積を有することを特徴とする、半導体装置。
IPC (1)：
H01L 23/36
FI (1)：
H01L23/36 D
F-Term (4)：
5F136BB01 ,  5F136BC00 ,  5F136DA21 ,  5F136FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開平4-2154号公報
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-195297   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-042712   Applicant：富士通株式会社
Cited by examiner (2)

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