半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外10名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003000573
Publication number (International publication number)：2003264187
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】強誘電体膜,強誘電体膜などのリーク特性などを改善するための半導体装置の製造方法や、動作範囲の広い半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板101の上に、シリコン酸化膜102,Pt膜103x,Ti膜104x,PZT膜105xを順次堆積する。Si基板101をチャンバ106内に設置し、ミリ波108をPZT膜105xに照射する。ミリ波の照射によって、PZT膜等の誘電体膜を局所的に加熱することにより、Si基板101上のデバイスに悪影響を与えることなく、誘電体膜のリーク特性などが改善される。

Claim (excerpt)：

誘電体膜を要素として含む半導体装置の製造方法であって、基板の上方に上記誘電体膜を形成する工程(a)と、上記工程(a)の後で、上記誘電体膜の上方から、1GHz以上で100GHz以下の範囲にある電磁波を照射する工程(b)とを含み、上記工程(a)の後で上記工程(b)の前に、上記誘電体膜の上に、上記誘電体膜よりも誘電率又は誘電損失が大きいカバー膜を形成する工程と、上記工程(b)の後で、上記カバー膜を除去する工程とをさらに含む半導体装置の製造方法。

IPC (15)：

H01L 21/316 , H01L 21/336 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 27/105 , H01L 27/108 , H01L 27/115 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (11)：

H01L 21/316 P , H01L 27/10 444 B , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371 , H01L 27/08 102 C , H01L 27/04 C , H01L 29/78 617 T , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 B

F-Term (135)：

5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA09 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BE08 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F058BA20 , 5F058BC03 , 5F058BF02 , 5F058BF12 , 5F058BH20 , 5F058BJ04 , 5F083AD11 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP57 , 5F083ER22 , 5F083FR02 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083HA07 , 5F083HA10 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA17 , 5F083JA19 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR25 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F101BA01 , 5F101BA26 , 5F101BA36 , 5F101BB02 , 5F101BH09 , 5F101BH11 , 5F101BH16 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB20 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE09 , 5F110EE31 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110NN02 , 5F140AA16 , 5F140AA24 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC10 , 5F140AC32 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA05 , 5F140BA17 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF60 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG41 , 5F140BG46 , 5F140BJ05 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK26 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CB02 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CF05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-337323 Applicant：ローム株式会社
特開平3-22430号公報(第2図)
薄膜トランジスタの製造方法及びアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-197658 Applicant：株式会社東芝

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