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J-GLOBAL ID:200903019277330537
半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002013836
Publication number (International publication number):2003213224
Application date: Jan. 23, 2002
Publication date: Jul. 30, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ウエハ裏面上に接着フィルムを熱圧着した際に、ウエハの反りや、ダイシング時のチップ欠けやクラックを大幅に低減し、ボンディング時は低温短時間での接着が可能で耐熱性に優れ、高い接着強度を有し、厳しい湿熱条件に耐えうる半導体用接着フィルムを提供すること。【解決手段】(A)有機溶剤に可溶で、かつガラス転移温度が90°C以上である熱可塑性ポリイミド樹脂と(B)熱硬化性樹脂とを含んでなる半導体用接着フィルムで、硬化前のガラス転移温度が90°C以下であり、100〜200°Cで5〜120分加熱処理するとガラス転移温度が100°C以上となる半導体用接着フィルム。
Claim (excerpt):
ガラス転移温度が90°C以下であって、100〜200°Cで5〜120分加熱処理するとガラス転移温度が100°C以上となることを特徴とする半導体用接着フィルム。
IPC (6):
C09J 7/00
, C09J 9/00
, C09J179/08
, C09J183/10
, C09J201/00
, H01L 21/52
FI (6):
C09J 7/00
, C09J 9/00
, C09J179/08 Z
, C09J183/10
, C09J201/00
, H01L 21/52 E
F-Term (20):
4J004AB01
, 4J004BA02
, 4J004CA06
, 4J004CB03
, 4J004CC02
, 4J004FA05
, 4J040EH031
, 4J040EK031
, 4J040JA09
, 4J040JB01
, 4J040JB09
, 4J040MA02
, 4J040MA04
, 4J040MA09
, 4J040NA20
, 5F047BA22
, 5F047BA25
, 5F047BA33
, 5F047BB03
, 5F047BB19
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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ダイボンディング用接着剤及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-278509
Applicant:日立化成工業株式会社
-
ダイボンディング用接着フィルム及び半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-369815
Applicant:日立化成工業株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-019182
Applicant:日立化成工業株式会社
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