Pat
J-GLOBAL ID:200903057943672960
ダイボンディング用接着フィルム及び半導体装置の製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
穂高 哲夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999369815
Publication number (International publication number):2001185563
Application date: Dec. 27, 1999
Publication date: Jul. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 フィルム材料のロスが少なく、位置ずれの問題もなく、均一な膜厚の接着剤層を設けることができ、かつ、簡単な装置でダイボンディングできる耐半田リフロー性に優れたダイボンディング用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基材フィルム層と、該基材フィルム層上に断続的に形成された半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きくかつ長方形のパターン形状を有する複数の接着剤層とを有してなるダイボンディング用接着フィルム。多数の半導体素子が形成された半導体ウエハ裏面に、上記のダイボンディング用接着フィルムの接着剤層を熱圧着して接着剤層付きウエハを得、この接着剤層付きウエハの接着剤層面にダイシングテープを貼付した後、接着剤層付きの個別半導体素子に分割切断し、次いで、前記ダイシングテープを剥離して得られる接着剤層付き半導体素子を支持部材にダイボンディングする半導体装置の製造方法。
Claim (excerpt):
基材フィルム層と、該基材フィルム層上に断続的に形成された半導体ウエハのサイズとほぼ同じかそれよりも大きくかつ長方形のパターン形状を有する複数の接着剤層とを有してなるダイボンディング用接着フィルム。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (19):
4J004AA02
, 4J004AA11
, 4J004AA12
, 4J004AA13
, 4J004AA18
, 4J004AB05
, 4J004CA04
, 4J004CA06
, 4J004CB03
, 4J004CC02
, 4J004CE03
, 4J004FA05
, 4J004FA08
, 5F047BA21
, 5F047BA34
, 5F047BA39
, 5F047BB03
, 5F047BB18
, 5F047BB19
Patent cited by the Patent:
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