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J-GLOBAL ID：200903019413317132
位相シフトマスクの構造及び製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996067437
Publication number (International publication number)：1997090601
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 複数個の透光領域接近させて形成させたときに不要なパターンが形成されるのを防止する。【解決手段】 透光性基板上に位相遷移層を形成し、その位相遷移層を選択的に除去して複数個の透光領域を有するハーフトーンマスクを形成し、前記透光領域の間の位相遷移層上に少なくとも一つ以上の補助遮光パターンを形成する。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に位相遷移層を形成し、前記位相遷移層を選択的に除去して複数個の透光領域を形成し、位相遷移層上の前記透光領域の間に少なくとも一つ以上の補助遮光パターンを形成したことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
