半導体装置、その製造方法及び反射型液晶表示装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：高矢諭 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997184946
Publication number (International publication number)：1998092811
Application date： Jul. 10, 1997
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】反射型液晶表示装置のベースにするのに好適な半導体チップを形成する。【解決手段】半導体基板310上に絶縁膜と配線とが積層形成されているチップ348において、上面を平坦に形成した最上層間絶縁膜342の上に、腐食に強いTiN/Tiからなる薄い最上配線層344を形成して実質的にチップ表面に露出させ、前記最上層間絶縁膜342の表面に、P-SiNからなる保護膜を被せてチップ保護性を持たせると共に、前記最上配線層344上に、鏡面状平坦面を有する薄い絶縁膜346を積層する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に複数の絶縁膜と配線層が積層形成されたチップを有する半導体装置において、上面が平坦に形成された最上層間絶縁膜と、該最上層間絶縁膜の平坦面上に積層され、A1系材料に比べて硬度の大きい金属で形成され、厚さが0.5μm以下の所定パターンの最上配線層と、該最上配線層上に積層された、鏡面状平坦面を有するパシベーション膜と、が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/316 , G02F 1/1333 505 , G09F 9/35 302 , H01L 21/304 321 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/316 M , G02F 1/1333 505 , G09F 9/35 302 , H01L 21/304 321 S , H01L 21/88 M , H01L 21/90 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030667 Applicant：日本電気株式会社
反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-336200 Applicant：日本ビクター株式会社
液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-136228 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Cited by examiner (10)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-030667 Applicant：日本電気株式会社
反射型アクティブ・マトリクス・ディスプレイ・パネル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-336200 Applicant：日本ビクター株式会社
液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-136228 Applicant：シャープ株式会社

Show all

Return to Previous Page