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J-GLOBAL ID：200903019682230892

磁化反転方法、磁化反転装置、磁気メモリ及び磁気メモリの製造方法

Inventor：
中川 茂樹

About 中川 茂樹


Applicant, Patent owner：
財団法人理工学振興会

About 財団法人理工学振興会


Agent (1)： 五十嵐 省三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003358654
Publication number (International publication number)：2005123488
Application date： Oct. 20, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
【課題】磁性層の磁化反転磁場(保磁力)が大きく、消費電力が大きくなると共に、磁気メモリに適用した場合に集積度の低下を招いていた。【解決手段】磁性層2上に圧電素子4を形成し、磁性層2の回りに圧電素子4への配線をコイル5として巻回する。コイル5は外部磁場により磁化容易軸の方向の磁化エネルギーE1を磁性層2内に発生し、圧電素子4は磁性層2に歪みを発生させて磁歪に起因する逆磁歪効果により磁化容易軸と異なる方向の磁気異方性エネルギーK2を発生する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
磁化容易軸方向に第1の磁気異方性エネルギー(K1)を有して該磁化容易軸方向に磁化された磁性層(2)に対して、外部磁場により前記磁化容易軸の方向の磁化エネルギー(E1)を前記磁性層内に発生すると共に、該磁性層の磁歪に起因する逆磁歪効果により前記磁化容易軸と異なる方向の第2の磁気異方性エネルギー(K2)を前記磁性層内に発生させることにより前記磁性層の磁化方向を反転させる磁化反転方法。
IPC (7)：
H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187
FI (9)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/08 A ,  H01L43/08 M ,  G11C11/15 140 ,  G01R33/06 R ,  H01L27/10 447 ,  H01L41/08 U ,  H01L41/08 D ,  H01L41/18 101B
F-Term (5)：
2G017AD54 ,  2G017BA05 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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