シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995224066
Publication number (International publication number)：1997069518
Application date： Aug. 31, 1995
Publication date： Mar. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】低誘電率であり、且つ、膜質にも優れたシリコン化合物系絶縁膜を成膜する方法を提供する。【解決手段】バイアスECRプラズマCVD装置の反応室3内に原料ガスのプラズマを生成させ、該反応室3内に載置されたウェハW上にシリコン化合物系絶縁膜を成膜するに際し、原料ガスとして、前記プラズマ中に、フッ素を放出可能なガス、例えばSi-F結合を有する無機シリコン化合物のガスを用い、ウェハWにはバイアス電力を印加して、フッ素を含有するシリコン化合物系絶縁膜を成膜する。なお、成膜時には、Ar等の不活性ガスを導入して、プラズマ中でこれらをイオン化し、このイオンのスパッタ作用によってシリコン化合物系絶縁膜の緻密性を向上させる。

Claim (excerpt)：

プラズマCVD装置のチャンバ内に原料ガスのプラズマを生成させ、該チャンバ内に載置された基体上にシリコン化合物系絶縁膜を成膜するに際し、前記原料ガスとして、前記プラズマ中にフッ素を放出可能な化合物を含むガスを用い、前記基体には、バイアス電力を印加して、フッ素を含有するシリコン化合物系絶縁膜を成膜することを特徴とするシリコン化合物系絶縁膜の成膜方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-292107 Applicant：住友金属工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-164831 Applicant：株式会社東芝
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-089891 Applicant：沖電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page