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J-GLOBAL ID：200903019975029113

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
川野 義弘

About 川野 義弘

, 
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998267759
Publication number (International publication number)：2000101193
Application date： Sep. 22, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 垂直横モードの単一化が可能でファーフィールドパターンが良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板5裏面の少なくともリッジ形状のストライプ201の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜202が形成されてなる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板上に、n側窒化物半導体層、活性層、p側窒化物半導体層を順に積層形成してなる素子構造を有し、p側窒化物半導体層側から基板側にかけてエッチングして形成されたリッジ形状のストライプを有し、ストライプの最上層にp電極を有する窒化物半導体レーザ素子において、素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板裏面の少なくともリッジ形状のストライプの真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C
F-Term (22)：
5F041AA06 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA91 ,  5F041CA92 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073CB23 ,  5F073DA05 ,  5F073DA30 ,  5F073EA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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