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J-GLOBAL ID：200903017080241300

半導体発光素子

Inventor： 小沢 正文 ,  中村 文彦 ,  河合 弘治
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996188569
Publication number (International publication number)：1998022586
Application date： Jun. 28, 1996
Publication date： Jan. 23, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低しきい電流密度かつ長寿命の窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。【解決手段】 c面サファイア基板1上に、n型GaN層2、n型InGaN光吸収層3、n型AlGaNクラッド層4、n型GaN光導波層5、InGaNからなる活性層6、p型GaN光導波層7、p型AlGaNクラッド層8、p型InGaN光吸収層9およびp型GaN層10を順次積層してGaN系半導体レーザを構成する。n型InGaN光吸収層3およびp型InGaN光吸収層9のIn組成比は、InGaNからなる活性層6のIn組成比よりも大きくし、これらのn型InGaN光吸収層3およびp型InGaN光吸収層9により発光波長の光が吸収されるようにする。

Claim (excerpt)：

窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、発光波長の光を吸収する光吸収層を少なくとも一層有することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235012   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-027522   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039646   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭58-093390
  
• III-V族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-269279   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平1-084685
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-154708   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (4)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038157   Applicant：株式会社東芝
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235012   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-027522   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039646   Applicant：株式会社東芝