半導体発光素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021388
Publication number (International publication number)：1998223930
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】積層された半導体層の一部をエッチングなどにより除去して、同一面側にp側電極およびn側電極が設けられる半導体発光素子においても、その電極と他のリードなどとの電気的接続が確実になり、その信頼性が向上する半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に発光層を形成すべく積層される半導体積層部10と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層(p形層5)に接続して設けられる第1の電極(p側電極8)と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層(n形層3)に接続して設けられる第2の電極(n側電極9)とからなり、前記第1および第2の電極が、前記基板からほぼ同じ高さになるように形成されている。

Claim (excerpt)：

基板と、該基板上に発光層を形成すべく積層される半導体積層部と、該半導体積層部の表面側の第1導電形の半導体層に接続して設けられる第1の電極と、前記半導体積層部の一部がエッチングにより除去されて露出する第2導電形の半導体層に接続して設けられる第2の電極とからなり、前記第1および第2の電極が、前記基板からほぼ同じ高さになるように形成されてなる半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

窒素-3属元素化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-316599 Applicant：豊田合成株式会社
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-142632 Applicant：豊田合成株式会社
窒化ガリウム系半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-004202 Applicant：日本電気株式会社

Show all

Return to Previous Page