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J-GLOBAL ID：200903080756259295

III族窒化物半導体発光素子

Inventor： 柴田 直樹
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 小西 富雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996241383
Publication number (International publication number)：1998065215
Application date： Aug. 22, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 静電気耐性が強く、取り扱いが容易なIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 n伝導型の第1の半導体層3、発光層4及びp伝導型の第2の半導体層5を順に積層してなる発光素子において、第1の半導体層3に接続された第1の電極7が第2の半導体層5に接触する。これにより、発光素子に逆方向の高い電圧が印加された場合、電流は第1の電極7から第2の半導体層5へ優先的に流れ、発光素子の内部にはほとんど流れない。従って、逆方向の静電圧が印加されても本発明の発光素子はダメージを受けなくなる。よって、本発明の発光素子は取り扱いが容易なものとなる。また、第1の電極と第2の半導体層の間に抵抗が設けられる。第1の電極と第2の電極の間に発光素子と逆方向のダイオードが当該発光素子と並列に設けられる。

Claim (excerpt)：

III族窒化物半導体(AlXInYGa1ーXーYN;X=0、Y=0、X=Y=0を含む)で形成される発光素子であって、第1の伝導型の第1の半導体層と、第2の伝導型の第2の半導体層と、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成される発光層と、前記第1の半導体層へ接続される第1の電極と、前記第2の半導体層へ接続される第2の電極と、を備えてなり、前記第1の電極が前記第2の半導体層に接触していることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-125033   Applicant：豊田合成株式会社
• 3族窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-252896   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-190069   Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩