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J-GLOBAL ID：200903020321144442

電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
大田 一樹

About 大田 一樹


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (3)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006326785
Publication number (International publication number)：2008141040
Application date： Dec. 04, 2006
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：
【課題】低いオン抵抗を実現可能な構造を有する、窒化物半導体を用いたエンハンスメント(ノーマリーオフ)型電界効果トランジスタ、とその製造方法の提供。【解決手段】AlGaN電子供給層104上に、それと同じか、より大きなAl組成のAlGaNからなり、n型不純物が2×1019cm-3以上ドーピングされ、厚さが2〜10nm範囲のコンタクト層105を設け、ソース電極106とドレイン電極107の間の一部でコンタクト層105をエッチング除去して形成する第1のリセス110と、第1のリセス内の一部で電子供給層104を薄くして形成する第2のリセス112とを有し、第2のリセス内をゲート絶縁膜113とT型ゲート電極108で隙間なく埋め込み、T型ゲート電極108の傘の下の絶縁膜109による段差を利用して自己整合的にT型ゲート電極108に隣接してコンタクト層105上にオーミック補助電極114を形成する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタであって、 前記窒化物半導体の層状構造は、 GaNまたはInGaNからなる電子走行層と、 AlGaNからなる電子供給層と、 AlGaNからなるコンタクト層がこの順に積層された構造を含み; 該電界効果トランジスタは、 前記コンタクト層上に形成されたソース電極とドレイン電極と、 該ソース電極と該ドレイン電極との間に設けるT型ゲート電極を具えており; 前記T型ゲート電極を設ける領域には、 該ソース電極と該ドレイン電極との間の一部で、前記コンタクト層をエッチング除去して形成される第1のリセスと、 前記コンタクト層上、前記第1のリセス以外の領域で該T型ゲート電極の傘の下に形成されている第1の絶縁膜と、 前記第1のリセス中の一部で、前記電子供給層の膜厚を薄くして形成される第2のリセスと、 該第1のリセス内で、該第2のリセス以外の領域に形成される、第2の絶縁膜からなる側壁と、 該第2のリセス内、ならびに、該第2の絶縁膜からなる側壁上および該第1の絶縁膜上に形成されているゲート絶縁膜が設けられ; 該T型ゲート電極は、該ゲート絶縁膜上に隙間なく埋め込まれて形成されており; 前記T型ゲート電極を設ける領域を除く該コンタクト層上で、前記第1の絶縁膜の形成がなされていない領域上、該ソース電極上および該ドレイン電極上、ならびに、該T型ゲート電極上に形成されているオーミック補助電極を具えている ことを特徴とする窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ。
IPC (5)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/28
FI (3)：
H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/28 301B
F-Term (66)：
4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD78 ,  4M104EE02 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG12 ,  4M104GG14 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102HC16 ,  5F140AA30 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BB06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BC15 ,  5F140BD07 ,  5F140BE03 ,  5F140BE10 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BF42 ,  5F140BF43 ,  5F140BG09 ,  5F140BG14 ,  5F140BH21 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ05 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BK27 ,  5F140BK29 ,  5F140BK32 ,  5F140BK33 ,  5F140BK38 ,  5F140CE02 ,  5F140CE20 ,  5F140CF00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (4)
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