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J-GLOBAL ID：200903015132841147

高電子移動度トランジスタ

Inventor：
池田 成明

About 池田 成明


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003423639
Publication number (International publication number)：2005183733
Application date： Dec. 19, 2003
Publication date： Jul. 07, 2005
Summary：
【課題】 ゲート電極Gに電圧を加えていない状態では、ソース電極Sとドレイン電極D間に電流が流れないいわゆるノーマリーオフの動作する高電子移動度トランジスタの実現を目的とする。【解決手段】窒化物系化合物半導体からなる電子走行層3と電子供給層4のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層4の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層4の厚さよりも薄いことを特徴とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体からなる電子走行層と電子供給層のヘテロ接合構造を有する高電子移動度トランジスタにおいて、少なくともゲート直下に相当する部分の電子供給層の厚さが、前記少なくともゲート直下に相当する部分以外の電子供給層の厚さよりも薄いことを特徴とする高電子移動度トランジスタ。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (18)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (9)
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