半導体面発光レーザ及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996336699
Publication number (International publication number)：1998178235
Application date： Dec. 17, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】垂直共振器型面発光レーザの注入電流を狭窄し、低しきい電流で動作させることを目的とする。【解決手段】 n型GaAs基板12上にn型多層反射膜13、活性層15を含む中間層14、p型多層反射膜19からなる垂直共振器型面発光レーザを結晶成長する際に、中間層14上部に高抵抗な低温成長GaAs層16からなる電流狭窄層を、マスクを使った選択成長で形成する。この電流狭窄層は、分子線エピタキシャル成長装置で基板上にマスクを掛けることによって、超高真空中で成長し、大気に曝すことなく他の層構造と連続的に成長できる。これにより、容易に、低い電流しきい値で動作する面発光レーザが実現される。

Claim (excerpt)：

活性層を含む中間層と、その上下に反射膜とを持つ、垂直共振器型の面発光レーザにおいて、選択的に成長した半導体結晶の高抵抗層からなる電流狭窄層を、前記活性層の近傍に設けることを特徴とする面発光レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

面発光半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-215233 Applicant：富士通株式会社
半導体レーザーおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-283340 Applicant：三菱化成株式会社
特開平2-228027

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