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J-GLOBAL ID：200903020487023899

半導体装置の製造方法

Inventor：
和田 幸久

About 和田 幸久

, 
久米 聡

About 久米 聡


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社

, 
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001153387
Publication number (International publication number)：2002353443
Application date： May. 23, 2001
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 互いにエッチング特性が異なる2種以上の酸化膜の形成を伴う場合に、エッチング選択比の悪化を回避しうるエッチング工程を含む半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ゲート電極の側面上に、NSG膜,TEOS膜などの第1酸化膜と、BPSG膜,PSG膜などの第2酸化膜とを含む積層膜サイドウォールを形成する。その後、積層膜サイドウォールをMISトランジスタのソース・ドレイン形成用注入マスクとして使用した後、第2酸化膜を選択的に除去する際、フッ酸と酢酸あるいはイソプロピルアルコールとを含む水溶液でウェットエッチングする。これにより、各酸化膜のエッチング選択比を大きくし、上層の第2酸化膜のみを除去する。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にゲート絶縁膜とその上のゲート電極とを設けたMIS型トランジスタを有する半導体装置の製造工程において、ゲート電極の側面上に、エッチング特性が互いに異なる第1酸化膜と第2酸化膜とを含むサイドウォールを形成する工程(a)と、上記サイドウォールをマスクとしてソース・ドレイン領域形成用のイオン注入を行なう工程(b)と、上記サイドウォールをフッ酸と有機溶液とを含む混合溶液によりエッチングして、上記第2酸化膜を選択的に除去する工程(c)とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  H01L 21/316
FI (7)：
H01L 21/28 E ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/308 E ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/306 D
F-Term (71)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD64 ,  4M104DD80 ,  4M104DD91 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F043AA33 ,  5F043AA36 ,  5F043BB22 ,  5F043BB27 ,  5F043DD12 ,  5F043DD15 ,  5F043DD17 ,  5F043GG04 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF07 ,  5F058BF25 ,  5F058BH13 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ07 ,  5F140AA14 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF07 ,  5F140BF13 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF27 ,  5F140BG10 ,  5F140BG12 ,  5F140BG13 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BG56 ,  5F140BG58 ,  5F140BG60 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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