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J-GLOBAL ID：200903020569516990

固体メモリ

Inventor： 富永 淳二 ,  ポール・フォンズ ,  アレキサンダー・コロボフ
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007225978
Publication number (International publication number)：2009059421
Application date： Aug. 31, 2007
Publication date： Mar. 19, 2009
Summary：

【課題】PRAMにおけるデータの記録/消去は、これまで、その記録材料であるTeを含むカルコゲン化合物の結晶状態とアモルファス状態の一次相変態により生じる物理的特性変化に基づいて行われてきたが、記録薄膜は、単結晶ではなく、多結晶から構成されているので、抵抗値にバラツキがあり、相転移の際に発生する体積変化により、記録読み出し回数に制限があった。【解決手段】本願発明は、Sbを含む薄膜とTeを含む薄膜を超格子構造により固体メモリを作成し、上記課題を解決し、繰り返し記録消去回数を1015回とした。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

固体メモリであって、物質の相分離に起因して電気特性が変化するものであり、データの記録及び再生材料が該相分離により該電気特性に変化が発生する人工的な超格子の積層構造により構成されていることを特徴とする固体メモリ。

IPC (5)：

G11B 7/243 ,  G11B 7/24 ,  G11B 9/04 ,  H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (6)：

G11B7/24 511 ,  G11B7/24 522A ,  G11B7/24 522D ,  G11B9/04 ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

F-Term (6)：

5D029JA01 ,  5D029JB05 ,  5D029JC20 ,  5D029VA10 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• メモリ、書き込み装置、読み出し装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-324150   Applicant：松下電器産業株式会社
• 記憶セル、この記録セルを用いたメモリマトリックス及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-042055   Applicant：大日本印刷株式会社
• 選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-004946   Applicant：三星電子株式会社

Cited by examiner (2)

• 記憶セル、この記録セルを用いたメモリマトリックス及びこれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-042055   Applicant：大日本印刷株式会社
• 選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-004946   Applicant：三星電子株式会社