選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008004946
Publication number (International publication number)：2008182227
Application date： Jan. 11, 2008
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

【課題】選択的に成長された相変化層を備える相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】相変化層を備えるストレージノードと、それに連結されたスイッチング素子と、を備える相変化メモリ素子において、相変化層は、相変化層の選択的成長のためのシード層上に備えられたことを特徴とする相変化メモリ素子及びその製造方法である。前記シード層は、下部電極上に備えられる。前記下部電極と前記シード層との間に下部電極コンタクト層がさらに備えられる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

相変化層を備えるストレージノードと、それに連結されたスイッチング素子と、を備える相変化メモリ素子において、前記相変化層は、前記相変化層の選択的成長のためのシード層上に形成されたことを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (15)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA42 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR21 , 5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

相変換記憶素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-362078 Applicant：三星電子株式会社
ストレージ電極と接触するためにビットライン方向に拡張されたコンタクト体を含む半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-007358 Applicant：三星電子株式会社
脚柱型記憶ノード用コンタクトプラグ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-281096 Applicant：華邦電子股ふん有限公司

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