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J-GLOBAL ID：200903020570032433

発光装置およびその作製方法

Inventor：
坂倉 真之

About 坂倉 真之

, 
山崎 舜平

About 山崎 舜平


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001079586
Publication number (International publication number)：2002280186
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】 第1の電極を形成する絶縁表面が平坦でなく、第1の電極の膜厚程度又はそれ以上の凹凸や異物があると、第1に電極は均一に形成されず、一つの画素内で、発光しない点(黒点として観測されるのでダークスポットという)が発生したり、ひいては第1の電極と第2の電極とが上下で短絡してしまうという不良が発生してしまう。【解決手段】 本発明の発光装置の構成は、絶縁表面上に形成された第1の電極と、第1の電極の端部を覆いテーパー状の縁を有する第1の絶縁層と、第1の電極及び前記第1の絶縁層上に形成され、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種から成る第2の絶縁層と、第2の絶縁層上に形成された有機化合物層と、有機化合物層上に形成された第2の電極とを有している。
Claim (excerpt)：
絶縁表面上に形成された第1の電極と、前記第1の電極の端部を覆いテーパー状の縁を有する第1の絶縁層と、前記第1の電極及び前記第1の絶縁層上に形成され、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンから選ばれた一種又は複数種から成る第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成された第2の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
IPC (4)：
H05B 33/22 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14
FI (4)：
H05B 33/22 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A
F-Term (11)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EA02 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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