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J-GLOBAL ID：200903020580175755

薄膜太陽電池およびその製造方法

Inventor：
梶山 健二

About 梶山 健二

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米田 知晃

About 米田 知晃

, 
蕨迫 光紀

About 蕨迫 光紀


Applicant, Patent owner：
株式会社イオン工学研究所

About 株式会社イオン工学研究所

, 
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997192400
Publication number (International publication number)：1999040832
Application date： Jul. 17, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：
【要約】【課題】 高い変換効率を確保しつつ低コスト化および省資源化を図ることができる薄膜太陽電池およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 p型単結晶シリコン板1の表面に凹凸形状を形成する。p型単結晶シリコン板1の凹凸形状の表面から5〜10μmの深さにHを層状にイオン注入する。基板4上に絶縁層5を介して下部電極層6を形成する。p型単結晶シリコン板1の凹凸形状の表面を下部電極層6の表面に接着する。熱処理により、p型単結晶シリコン板1を層状に分布した空隙の領域3aで切断して下部電極層6上に接着された凹凸形状のp型単結晶リシコン層1aと残りのp型単結晶シリコン板1bとに分離する。熱処理により下部電極層6からn型不純物をp型単結晶シリコン層1a中に拡散させることによりn型拡散層1cを形成する。
Claim (excerpt)：
結晶半導体の表面に凹凸形状を形成する第1の工程と、前記結晶半導体の前記凹凸形状の表面から所定の深さに所定の元素を層状にイオン注入する第2の工程と、基板上に電極層を形成する第3の工程と、前記所定の元素が注入された前記結晶半導体の前記凹凸形状の表面を前記基板上に形成された前記電極層の表面に接着する第4の工程と、熱処理により、前記結晶半導体に注入された前記所定の元素の領域に層状に分布する空隙を形成し、前記結晶半導体を前記層状に分布した空隙の領域で切断して前記電極層上に接着された凹凸形状の結晶半導体層と残りの結晶半導体とに分離する第5の工程と、前記電極層上に接着された前記凹凸形状の結晶半導体層に発電層を形成する第6の工程とを備えたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
FI (2)：
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 X
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (21)
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