窒化物半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：豊栖康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997311272
Publication number (International publication number)：1999177175
Application date： Oct. 27, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】窒化物半導体よりなるLD素子のしきい値電流、電圧を低下させることにより長時間の連続発振を実現する。【解決手段】活性層が、n導電側の窒化物半導体層とp導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、前記n導電側及び/又はp導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いに不純物濃度が異なる第1と第2の窒化物半導体層とが積層されてなるn側歪み超格子層を有する。

Claim (excerpt)：

活性層が、n導電側の窒化物半導体層とp導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、前記n導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いにn型不純物濃度が異なる第1と第2の窒化物半導体層とが積層されてなるn側歪み超格子層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-114570 Applicant：株式会社日立製作所
ミニバンドを有する半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-052135 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウムアルミニウム半導体の結晶成長方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-292304 Applicant：日亜化学工業株式会社

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