ミニバンドを有する半導体素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996052135
Publication number (International publication number)：1996250810
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】室温で連続動作し得る青色光レーザダイオードを提供する。【解決手段】第1および第2半導体の積層パターンを有する超格子領域13内にミニバンド18を形成することによって活性領域2へのキャリヤの移動が向上する半導体素子が提供される。パターン積層膜厚は代表的には25ナより小さい。ミニバンド18の最小エネルギー準位21は、活性領域2と超格子領域13との間のガイド領域3のエネルギー準位に等しいかまたはこれより大きい。

Claim (excerpt)：

活性領域と、第1超格子領域と、該活性領域と該第1超格子領域との間に設けられるガイド領域とを有し、該第1超格子領域はバリヤ層によって互いに分離される複数の量子井戸を有する第1および第2半導体の積層パターンからなり、該パターンの積層膜厚は、該第1超格子領域内にミニバンドが形成されるように十分に薄くされる、半導体素子であって、該ミニバンドを通ってキャリヤが輸送される、半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平1-296679
特開平1-298786
特開昭61-184895

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