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J-GLOBAL ID：200903020628572115

触媒支援型化学加工方法及び装置

Inventor： 山内 和人 ,  佐野 泰久 ,  原 英之 ,  村田 順二 ,  八木 圭太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  株式会社荏原製作所
Agent (4)： 渡邉 勇 ,  堀田 信太郎 ,  小杉 良二 ,  廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006328331
Publication number (International publication number)：2008081389
Application date： Dec. 05, 2006
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】難加工物、特に近年電子デバイスの材料として重要性が高まっているSiCやGaN等を、加工効率が高く且つ数十μm以上の空間波長領域にわたって精度が高く加工する。【解決手段】フッ化水素酸等のハロゲンを含む分子が溶けた処理液22中に、GaNやSiC等の被加工物28を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒26を被加工物28の被加工面に接触または極近接させながら該触媒26と被加工物28とを相対移動させて被加工物28の被加工面を加工する。【選択図】図25

Claim (excerpt)：

ハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に被加工物を配し、モリブデンまたはモリブデン化合物からなる触媒を被加工物の被加工面に接触または極近接させながら該触媒と被加工物とを相対移動させて被加工物の被加工面を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。

IPC (3)：

C30B 33/00 ,  B24B 1/00 ,  H01L 21/304

FI (6)：

C30B33/00 ,  B24B1/00 B ,  B24B1/00 A ,  B24B1/00 Z ,  H01L21/304 622C ,  H01L21/304 622R

F-Term (24)：

3C049AA07 ,  3C049AC04 ,  3C049CA05 ,  3C049CB01 ,  3C049CB03 ,  4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BB01 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077FG05 ,  4G169AA02 ,  4G169BA13A ,  4G169BB02A ,  4G169BB02B ,  4G169BC33A ,  4G169BC59A ,  4G169BC59B ,  4G169BC75A ,  4G169CD10 ,  4G169DA05 ,  4G169EA02X ,  4G169EA02Y

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 特公平2-25745号公報
  
• 特公平7-16870号公報
  
• 特公平6-44989号公報
  
• 高速剪断流による加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-347596   Applicant：科学技術振興事業団
• 特許第2962583号公報
  
• 特許第3069271号公報
  
• 特許第3734722号公報
  
• 触媒支援型化学加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-299263   Applicant：山内和人, 佐野泰久

Cited by examiner (3)

• 触媒支援型化学加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-299263   Applicant：山内和人, 佐野泰久
• 微粉末の製造方法及びその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-022059   Applicant：株式会社ユーハ味覚糖精密工学研究所, 森勇藏
• メカノケミカル研磨装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-003055   Applicant：株式会社デンソー