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J-GLOBAL ID：200903020811957212

半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ

Inventor：
元田 隆

About 元田 隆

, 
加藤 学

About 加藤 学


Applicant, Patent owner：
三菱電機株式会社

About 三菱電機株式会社


Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995147602
Publication number (International publication number)：1996097510
Application date： Jun. 14, 1995
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 リッジの加工精度を容易に向上させるとともに、電流の横方向の広がりを抑制して低しきい値化,および高出力化を図ることができる半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザを提供する。【構成】 半導体基板1の(100)面上に、〔011〕方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスク2を形成し、これをマスクとしてバッファ層3,n型クラッド層4,活性層5,p型クラッド層6,バンド不連続緩和層7,キャップ層8を順次選択成長させて、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状で、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形であるリッジ50を形成する。
Claim (excerpt)：
第1導電型基板の{100}面上に〈011〉方向に伸びるストライプ状の開口部を有する選択マスクを形成する工程と、該選択マスクをマスクとして上記基板の{100}面上に第1導電型クラッド層,活性層,第2導電型クラッド層を含むダブルヘテロ構造を選択成長させ、上記第2導電型クラッド層により上記活性層及び第1導電型クラッド層の表面が覆われており、ストライプ幅方向の断面が順メサ形状であり、ストライプ長方向の断面が左右対称な六角形形状であるリッジストライプを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
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