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J-GLOBAL ID:200903021052118533
タンパク超分子のパターニング方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
小倉 啓七
, 本間 政憲
, 永井 道彰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005088235
Publication number (International publication number):2006269905
Application date: Mar. 25, 2005
Publication date: Oct. 05, 2006
Summary:
【課題】 従来確立していなかったタンパク質超分子をシリコン基板上で適切にパターニングする方法を確立し、当該方法によるタンパク質を用いた半導体新規デバイスを提供する。【解決手段】 半導体製造プロセスにおいて、フォトレジスト上に電荷を帯びた材料の薄膜を形成する工程と、該電荷を帯びた材料をパターニングする工程と、金属内包タンパク質超分子を該電荷を帯びた材料に吸着させる工程とを含むことを特徴とする金属内包タンパク質を半導体基板上にパターニングする。電荷を帯びた材料をパターニングし、電荷を帯びた材料に、金属内包タンパク質を吸着させる工程を含むことにより、結果的に金属内包タンパク質を半導体基板にパターニングするものである。【選択図】なし
Claim (excerpt):
半導体製造プロセスにおいて、
シリコン基板上に電荷を帯びた材料の塗膜を形成する工程と、
該電荷を帯びた材料をパターニングする工程と、
金属内包タンパク質超分子を、前記電荷を帯びた材料に吸着させる工程と、
を含むことを特徴とする金属内包タンパク質を半導体基板上にパターニングする方法
IPC (4):
H01L 21/824
, H01L 29/792
, H01L 29/788
, H01L 27/115
FI (2):
H01L29/78 371
, H01L27/10 434
F-Term (8):
5F046AA28
, 5F046BA04
, 5F083EP17
, 5F083EP22
, 5F083PR23
, 5F101BA54
, 5F101BB02
, 5F101BD02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
二次元的に配置された量子素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-148943
Applicant:松下電器産業株式会社
Cited by examiner (4)
-
微粒子固定方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-002578
Applicant:松下電器産業株式会社
-
ドット体の形成方法及び半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-338952
Applicant:松下電器産業株式会社
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-273911
Applicant:松下電器産業株式会社
-
自己組織化単分子膜の縁部を用いた狭小形状の形成
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-151141
Applicant:ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
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