半導体製造装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996057970
Publication number (International publication number)：1997251981
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】半導体製造装置においてプロセスガスの利用効率の向上を図る。【解決手段】本発明の半導体製造装置は、真空槽101と、真空槽101の内部を排気して減圧するターボ分子ポンプ105と、ターボ分子ポンプの排気側105aを更に排気して減圧するドライポンプ106と、真空槽101の内部にプロセスガスを供給するガスボンベ111と、ターボ分子ポンプ105によって排気されたガスの一部を、ターボ分子ポンプの排気側105aから真空槽101の内部へ再循環させる再循環ライン107と、を備える。

Claim (excerpt)：

真空槽と、真空槽の内部を排気して減圧する排気手段と、真空槽の内部にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、途中にバルブを備え、前記排気手段によって排気されたガスの一部を、前記排気手段の排気側から前記真空槽の内部へ再循環させる再循環ラインと、を備えた半導体製造装置。

IPC (6)：

H01L 21/3065 , B01J 3/02 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (6)：

H01L 21/302 B , B01J 3/02 M , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/203 Z , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-107755 Applicant：新日本製鐵株式会社
エッチング方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-033030 Applicant：株式会社日立製作所
プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-008935 Applicant：ソニー株式会社

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