拡散防止膜を備える相変化メモリ素子及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007307873
Publication number (International publication number)：2008141199
Application date： Nov. 28, 2007
Publication date： Jun. 19, 2008
Summary：

【課題】相変化メモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、スイッチング素子とこれに連結されるストレージノードとを備え、ストレージノードは、下部電極と上部電極、下部電極及び上部電極間に介在された相変化層、上部電極と相変化層との間に介在されたTi-Te系拡散防止膜を備えることを特徴とする相変化メモリ素子及びその製造方法である。Ti-Te系拡散防止膜は、TixTe1-x膜(0<x<0.5)でありうる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

スイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されるストレージノードと、を含み、前記ストレージノードは、下部電極と上部電極、前記下部電極と前記上部電極との間に介在された相変化層、前記上部電極と前記相変化層との間に介在されたTi-Te系拡散防止膜を備えることを特徴とする相変化メモリ素子。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (15)：

5F083FZ10 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

低電流高速相変化メモリ素子及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-107242 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-198240 Applicant：松下電子工業株式会社
相変化記憶セル及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-351046 Applicant：三星電子株式会社

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