相変化記憶セル及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005351046
Publication number (International publication number)：2006165560
Application date： Dec. 05, 2005
Publication date： Jun. 22, 2006
Summary：

【課題】相変化記憶セル及びその製造方法を提供する。【解決手段】相変化記憶セルは半導体基板上に形成された下部層間絶縁膜及び前記下部層間絶縁膜を貫通する下部導電性プラグを具備する。前記下部導電性プラグは前記下部層間絶縁膜上に提供された相変化物質パターンと接触する。前記相変化物質パターン及び前記下部層間絶縁膜は上部層間絶縁膜で覆われている。前記相変化物質パターンは前記上部層間絶縁膜を貫通するプレートラインコンタクトホール内の導電膜パターンと直接接触する。前記相変化記憶セルの製造方法も提供される。【選択図】図2A

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成した下部層間絶縁膜と、前記下部層間絶縁膜を貫通する下部導電性プラグと、前記下部層間絶縁膜上に提供されて前記下部導電性プラグと接触する相変化物質パターンと、前記相変化物質パターン及び前記下部層間絶縁膜を覆う上部層間絶縁膜と、前記上部層間絶縁膜を貫通するプレートラインコンタクトホールを介して前記相変化物質パターンと直接接触する導電膜パターンと、を含むことを特徴とする相変化記憶セル。

IPC (2)：

H01L 27/105 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 A

F-Term (12)：

5F083FZ10 , 5F083JA19 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA19 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083MA20 , 5F083PR03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

米国特許第6、545、903号明細書

Cited by examiner (9)

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Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-107242 Applicant：三星電子株式会社
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