電子放出素子、電子源、発光装置、画像形成装置および基板の各製造方法、並びに電子放出素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002243202
Publication number (International publication number)：2003157758
Application date： Aug. 23, 2002
Publication date： May. 30, 2003
Summary：

【要約】【課題】工程が簡略で製造コストが廉価であり、所望の位置に所望の密度で炭素を主成分とするファイバーを固定させ、優れた電子放出特性を有する電子放出素子を製造できる方法、前記素子を用いた電子源、発光装置および画像形成装置の各製造方法、並びに工程が簡略で製造コストが廉価な基板の製造方法を提供する。【解決手段】炭素を主成分とする材料をエアロゾル化し、これをガスと共に搬送しノズルを通して基板上に密着させるエアロゾル式ガスデポジション法により、前記炭素を主成分とする材料で電子放出素子を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

炭素を主成分とする材料をエアロゾル化し、これをガスと共に搬送しノズルを通して基板上に密着させるエアロゾル式ガスデポジション法により、前記炭素を主成分とする材料で電子放出素子を形成することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (2)：

H01J 9/02 , H01J 1/304

FI (2)：

H01J 9/02 B , H01J 1/30 F

F-Term (18)：

5C127AA01 , 5C127BA06 , 5C127BA13 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127BB08 , 5C127CC02 , 5C127DD08 , 5C127EE02 , 5C127EE15 , 5C135AA06 , 5C135AA13 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135AB08 , 5C135AC02 , 5C135HH02 , 5C135HH15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

電界放出型冷陰極及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-289538 Applicant：株式会社東芝
超微粒子成膜法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-210765 Applicant：工業技術院長
接着性カ-ボンナノチュ-ブ膜を有するデバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-266103 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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Cited by examiner (4)

電界放出型冷陰極及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-289538 Applicant：株式会社東芝
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-210765 Applicant：工業技術院長
接着性カ-ボンナノチュ-ブ膜を有するデバイス
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