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J-GLOBAL ID：200903091618609333

電界放出型冷陰極及びその製造方法

Inventor：
中本 正幸

About 中本 正幸

, 
福田 勝義

About 福田 勝義


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998289538
Publication number (International publication number)：2000123711
Application date： Oct. 12, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：
【要約】【課題】電界放出効率が良好でばらつきが少なく、低電圧駆動が可能な電界放出型冷陰極及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板101上にライン状のカソード電極102が形成されている。カソード電極102上に、導電性支持層103,低仕事関数材料層104及び電子放出層105が順次積層されたエミッタ電極が形成されている。エミッタ電極は、ピラミッド状に形成され、電子放出層105の先端部が尖っている。なお、電子放出層105は、電子放出層となる粒状構造体または極細構造体のAlN、GaN、ダイヤモンド等の負の電子親和力(NEA:Negative ElectronAffinity)を示す材料で構成されている
Claim (excerpt)：
電子を放出するエミッタを具備してなる電界放出型冷陰極において、前記エミッタは、第1の導電性材料からなる導電性支持層と、この導電性支持層上に形成され、粒状構造体または極細構造体の少なくとも一方から構成された第2の導電性材料からなる電子放出層とを含むことを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (3)：
H01J 1/304 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02
FI (3)：
H01J 1/30 F ,  H01J 1/30 B ,  H01J 9/02 B
F-Term (4)：
5C035BB01 ,  5C035BB03 ,  5C035BB04 ,  5C035BB10
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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