基板処理装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996002115
Publication number (International publication number)：1997190980
Application date： Jan. 10, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】原料ガスの不完全反応による生成物の付着を防止し、生産性の極めて高い基板処理装置を提供する。【解決手段】気密な反応容器の内部に基板保持手段を回転可能に設ける。この基板保持手段を回転させるための回転駆動手段を設ける。基板保持手段に保持された基板を加熱するための基板加熱手段を設ける。基板表面に原料ガスを供給するためのガス供給手段を設ける。反応容器の内部に基板を搬送するために反応容器に基板搬送口を設ける。この基板搬送口の下端が、基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置している。

Claim (excerpt)：

気密な反応容器と、この反応容器の内部に回転可能に設けられた基板保持手段と、この基板保持手段を回転させるための回転駆動手段と、前記基板保持手段に保持された基板を加熱するための基板加熱手段と、基板表面に原料ガスを供給するためのガス供給手段と、前記反応容器の内部に基板を搬送するために前記反応容器に設けられた基板搬送口とを備え、前記基板搬送口の下端が前記基板保持手段に保持された基板の表面よりも上方に位置していることを特徴とする基板処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C30B 25/14 , C30B 29/06 504 , H01L 21/285

FI (5)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 F , C30B 25/14 , C30B 29/06 504 C , H01L 21/285 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開昭58-143835
特開昭59-117108
半導体基板の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-079638 Applicant：新日本製鐵株式会社

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