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J-GLOBAL ID：200903021778073300

半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法

Inventor： 石川 博康 ,  江川 孝志 ,  梅野 正義 ,  阿久津 仲男 ,  松本 功
Applicant, Patent owner： 名古屋工業大学長 ,  日本酸素株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999084934
Publication number (International publication number)：2000277441
Application date： Mar. 26, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：

【要約】【課題】 シリコン基板上に素子を形成できる程良好な結晶性を有する窒化ガリウム系の化合物半導体を成長させることができ、その結果、シリコン基板上に形成された半導体素子を高性能化、高信頼化することができる半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、窒化ガリウム系の化合物半導体からなる第1の半導体層3を形成してなる半導体構造において、シリコン基板1と第1の半導体層3との間に、高融点材料からなる第2の半導体層2を形成してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に、窒化ガリウム系の化合物半導体からなる第1の半導体層を形成してなる半導体構造において、前記シリコン基板と前記第1の半導体層との間に、高融点材料からなる第2の半導体層を形成してなることを特徴とする半導体構造。

IPC (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

F-Term (37)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA26 ,  4K030BA38 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB19 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB01 ,  5F045BB04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045HA06 ,  5F052KA02 ,  5F052KA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 窒化物薄膜単結晶及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-137228   Applicant：住友電気工業株式会社
• 3族窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-214003   Applicant：豊田合成株式会社
• GaN系の半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-280711   Applicant：豊田合成株式会社