ゲート絶縁膜とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999184967
Publication number (International publication number)：2001015739
Application date： Jun. 30, 1999
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】高い比誘電率を有し、ゲートリーク電流を十分低く抑え、また、シリコン基板界面におけるシリコン酸化膜の形成が抑制されてゲート絶縁膜全体としてのシリコン酸化膜換算膜厚が小さい金属酸化物の多結晶膜からなるゲート絶縁膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に金属酸化物からなるアモルファス層を形成する工程と、このアモルファス層を酸素を含む雰囲気中で第1の温度で酸化処理する工程の2つの連続した工程を1サイクルとしたときに、この連続する工程を少なくとも2サイクルおこなった後に、前記第1の温度以上の第2の温度で熱処理をおこなってアモルファス層を結晶化する。

Claim (excerpt)：

金属酸化物の多結晶膜を有するゲート絶縁膜において、前記多結晶膜の所定の膜厚の位置に前記多結晶膜の面に平行に伸展する結晶粒界面を有し、前記多結晶膜を構成する各多結晶の膜厚方向に延びる結晶粒界が前記結晶粒界面において不連続であることを特徴とするゲート絶縁膜。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/316 X

F-Term (23)：

5F040DA19 , 5F040DC01 , 5F040EC04 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040ED06 , 5F040FC00 , 5F058BA20 , 5F058BD02 , 5F058BD05 , 5F058BD18 , 5F058BE10 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF78 , 5F058BH03 , 5F058BH17 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

キャパシタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316264 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-098500 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-333373 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page