Pat

J-GLOBAL ID：200903011625673663

アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法

Clips

Inventor： ヤンジュン マー ,  ヨシ オノ
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000215186
Publication number (International publication number)：2001077111
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 比較的高いアニーリング温度において、アモルファス状態である高誘電体膜を提供する。【解決手段】 二酸化ケイ素に対して高誘電率を有する薄膜は、三価の金属と、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と酸素とを含み、それによってアモルファス高誘電体膜が形成される。

Claim (excerpt)：

二酸化ケイ素に対して高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜は、三価の金属と、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、酸素とを含み、それによってアモルファス高誘電体膜が形成される、薄膜。

IPC (7)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/58 ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/56 ,  H01L 29/78

FI (7)：

H01L 21/316 X ,  C23C 14/08 F ,  C23C 14/14 D ,  C23C 14/58 A ,  C23C 16/06 ,  C23C 16/56 ,  H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-270366
  
• 強誘電体FET素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-325870   Applicant：三菱化学株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-128571   Applicant：株式会社日立製作所
• ゲート絶縁膜とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-184967   Applicant：日本電気株式会社
• ゲルマニウム層を使用した大誘電率ゲートの構造と方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-368141   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• MIS半導体装置及び不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-153583   Applicant：株式会社東芝