アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000215186
Publication number (International publication number)：2001077111
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】比較的高いアニーリング温度において、アモルファス状態である高誘電体膜を提供する。【解決手段】二酸化ケイ素に対して高誘電率を有する薄膜は、三価の金属と、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と酸素とを含み、それによってアモルファス高誘電体膜が形成される。

Claim (excerpt)：

二酸化ケイ素に対して高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜は、三価の金属と、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、酸素とを含み、それによってアモルファス高誘電体膜が形成される、薄膜。

IPC (7)：

H01L 21/316 , C23C 14/08 , C23C 14/14 , C23C 14/58 , C23C 16/06 , C23C 16/56 , H01L 29/78

FI (7)：

H01L 21/316 X , C23C 14/08 F , C23C 14/14 D , C23C 14/58 A , C23C 16/06 , C23C 16/56 , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

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