GaN系半導体発光素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998156104
Publication number (International publication number)：1999354842
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 GaN系発光素子のための量子ドットの最適な態様を示し、より高効率なGaN系発光素子を提供すること。【解決手段】アンチサーファクタントの作用によってGaN系結晶層A上にGaN系の量子ドットdを形成し、さらに該量子ドットdを埋め込むまで前記層A上にGaN系結晶層Bを成長させてGaN系の量子ドット構造3を構成し、これを発光に係る部分としてGaN系半導体発光素子を形成する。このとき、結晶層Aおよび結晶層Bのバンドギャップを、量子ドットのバンドギャップよりも大きいものとし、個々の量子ドットの高さh、幅w、結晶層Aの上面における量子ドットの分散の度合い(密度)ρを、0.5nm≦h≦50nm、0.5nm≦w≦200nm、106 cm-2≦ρ≦1013cm-2とする。

Claim (excerpt)：

量子ドット構造を発光に係る部分として有するGaN系半導体発光素子であって、前記量子ドット構造は、GaN系材料からなる結晶層(A)と、この層上面に分散して形成されたGaN系材料からなる量子ドットと、この量子ドットを埋め込んで前記層上に成長したGaN系材料からなる結晶層(B)とを有する構造であり、結晶層(A)および結晶層(B)の材料の各々のバンドギャップは、量子ドットの材料のバンドギャップよりも大きく、各層の層厚方向についての各々の量子ドットの寸法を高さhとし、各層の拡がる方向についての各々の量子ドットの寸法を幅wとし、結晶層(A)の上面における量子ドットの分散の度合いを密度ρとして、0.5nm≦h≦50nm、0.5nm≦w≦200nm、106 cm-2≦ρ≦1013cm-2、であることを特徴とするGaN系半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

量子ドット形成方法及び量子ドット構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233442 Applicant：理化学研究所, 田中悟
窒化物半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290218 Applicant：日亜化学工業株式会社
化合物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-261044 Applicant：昭和電工株式会社

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