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J-GLOBAL ID：200903021914609561

窒化物半導体素子

Inventor： 園部 真也 ,  若井 陽平 ,  出口 宏一郎 ,  大村 和之 ,  井上 芳樹
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004183048
Publication number (International publication number)：2005033197
Application date： Jun. 21, 2004
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

【課題】 発光出力の高い窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 積層された窒化物半導体層上に、第1金属層と、少なくとも前記第1金属層と異なる材質からなる第2金属層とを備えた多層構成の電極を有する窒化物半導体素子において、前記第1金属層は、酸化物、窒化物、酸素窒素化物のいずれかの化合物を含有する銀から成る。前記化合物は、III族酸化物、II族酸化物、又は遷移金属酸化物である。前記化合物は、インジウム、ガリウム、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、錫、チタン、ニオブから成る群から選ばれる少なくとも一種類以上の金属の化合物である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

積層された窒化物半導体層上に、第1金属層と、少なくとも前記第1金属層と異なる材質からなる第2金属層とを備えた多層構成の電極を有する窒化物半導体素子において、 前記第1金属層は、酸素化合物、窒素化合物、または酸素窒素化合物のいずれかの化合物を含有する銀からなることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1)：

H01L33/00

FI (2)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CA86 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA16 ,  5F041DA76 ,  5F041DB06 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-104370   Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子とこれを用いた半導体発光装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-287623   Applicant：松下電子工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-120269   Applicant：豊田合成株式会社
• 発光半導体の方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-071027   Applicant：ルミレッズライティングユーエスリミテッドライアビリティカンパニー